სილიკონის კარბიდის სუბსტრატები|SiC ვაფლები

სილიკონის კარბიდის სუბსტრატები|SiC ვაფლის გამორჩეული სურათი

Მოკლე აღწერა:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. არის წამყვანი მიმწოდებელი, რომელიც სპეციალიზირებულია ვაფლისა და მოწინავე ნახევარგამტარული სახარჯო მასალებით.ჩვენ მზად ვართ მივაწოდოთ მაღალი ხარისხის, საიმედო და ინოვაციური პროდუქტები ნახევარგამტარული წარმოების, ფოტოელექტრული მრეწველობისა და სხვა დაკავშირებული სფეროებისთვის.

ჩვენი პროდუქციის ხაზი მოიცავს SiC/TaC დაფარული გრაფიტის პროდუქტებს და კერამიკულ პროდუქტებს, რომლებიც მოიცავს სხვადასხვა მასალებს, როგორიცაა სილიციუმის კარბიდი, სილიციუმის ნიტრიდი და ალუმინის ოქსიდი და ა.შ.

ამჟამად, ჩვენ ვართ ერთადერთი მწარმოებელი, რომელიც გთავაზობთ სისუფთავის 99,9999% SiC საფარს და 99,9% რეკრისტალიზებულ სილიციუმის კარბიდს.SiC საფარის მაქსიმალური სიგრძე ჩვენ შეგვიძლია გავაკეთოთ 2640 მმ.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

სილიციუმის კარბიდის (SiC) ერთკრისტალურ მასალას აქვს დიდი ზოლის სიგანე (~Si 3-ჯერ), მაღალი თბოგამტარობა (~Si 3.3-ჯერ ან GaAs 10-ჯერ), ელექტრონის გაჯერების მაღალი მიგრაციის სიჩქარე (~Si 2.5-ჯერ), მაღალი ავარიის ელექტროენერგია. ველი (~Si 10-ჯერ ან GaAs 5-ჯერ) და სხვა გამორჩეული მახასიათებლები.

SiC მოწყობილობებს აქვთ შეუცვლელი უპირატესობები მაღალი ტემპერატურის, მაღალი წნევის, მაღალი სიხშირის, მაღალი სიმძლავრის ელექტრონული მოწყობილობების და ექსტრემალური გარემოსდაცვითი აპლიკაციების სფეროში, როგორიცაა აერონავტიკა, სამხედრო, ბირთვული ენერგია და ა.შ. აპლიკაციები და თანდათანობით ხდება ელექტრული ნახევარგამტარების მეინსტრიმი.

4H-SiC სილიკონის კარბიდის სუბსტრატის სპეციფიკაციები

ნივთი项目	სპეციფიკაციები 参数
პოლიტიპი 晶型	4H -SiC	6H- SiC
დიამეტრი 晶圆直径	2 ინჩი \|3 ინჩი \|4 ინჩი \|6 ინჩი	2 ინჩი \|3 ინჩი \|4 ინჩი \|6 ინჩი
სისქე 厚度	330 მკმ ~ 350 მკმ	330 მკმ ~ 350 მკმ
გამტარობა 导电类型	N – ტიპი / ნახევრად საიზოლაციო N型导电片/ 半绝缘片	N – ტიპი / ნახევრად საიზოლაციო N型导电片/ 半绝缘片
დოპანტი 掺杂剂	N2 (აზოტი)V (ვანადიუმი)	N2 (აზოტი) V (ვანადიუმი)
ორიენტაცია 晶向	ღერძზე <0001> გამორთვის ღერძი <0001> გამორთვა 4°	ღერძზე <0001> გამორთვის ღერძი <0001> გამორთვა 4°
წინააღმდეგობა 电阻率	0,015 ~ 0,03 ომ-სმ (4H-N)	0,02 ~ 0,1 ომ-სმ (6H-N)
მიკრომილის სიმკვრივე (MPD) 微管密度	≤10/სმ2 ~ ≤1/სმ2	≤10/სმ2 ~ ≤1/სმ2
TTV 总厚度变化	≤ 15 მკმ	≤ 15 მკმ
Bow / Warp 翘曲度	≤25 მკმ	≤25 მკმ
ზედაპირი 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
შეფასება 产品等级	წარმოება/კვლევითი კლასი	წარმოება/კვლევითი კლასი
კრისტალების დაწყობის თანმიმდევრობა 堆积方式	ABCB	ABCABC
ლატის პარამეტრი 晶格参数	a=3.076A, c=10.053A	a=3.073A, c=15.117A
Eg/eV (Band-gap) 禁带宽度	3.27 ევ	3.02 ევ
ε (დიელექტრიკული მუდმივი) 介电常数	9.6	9.66
გარდატეხის ინდექსი 折射率	n0 =2.719 ne =2.777	n0 =2.707, ne =2.755

6H-SiC სილიკონის კარბიდის სუბსტრატის სპეციფიკაციები

ნივთი项目	სპეციფიკაციები 参数
პოლიტიპი 晶型	6H-SiC
დიამეტრი 晶圆直径	4 ინჩი \|6 ინჩი
სისქე 厚度	350μm ~ 450μm
გამტარობა 导电类型	N – ტიპი / ნახევრად საიზოლაციო N型导电片/ 半绝缘片
დოპანტი 掺杂剂	N2 (აზოტი) V (ვანადიუმი)
ორიენტაცია 晶向	<0001> ფასდაკლება 4°± 0,5°
წინააღმდეგობა 电阻率	0,02 ~ 0,1 ომ-სმ (6H-N ტიპი)
მიკრომილის სიმკვრივე (MPD) 微管密度	≤ 10/სმ2
TTV 总厚度变化	≤ 15 მკმ
Bow / Warp 翘曲度	≤25 მკმ
ზედაპირი 表面处理	Si Face: CMP, Epi-Ready C სახე: ოპტიკური პოლონური
შეფასება 产品等级	კვლევის ხარისხი