სილიკონის კარბიდის ბროლის ნავიარის მასალა შესანიშნავი თვისებებით, რომელიც ავლენს არაჩვეულებრივ სითბოს და კოროზიის წინააღმდეგობას მაღალი ტემპერატურის გარემოში.ეს არის ნაერთი, რომელიც შედგება ნახშირბადისა და სილიკონის ელემენტებისაგან მაღალი სიმტკიცე, მაღალი დნობის წერტილი და შესანიშნავი თერმული კონდუქტომეტრი.ეს ხდის სილიციუმის კარბიდის კრისტალურ ნავებს იდეალური სხვადასხვა მაღალი ტემპერატურის გამოყენებისთვის, როგორიცაა კოსმოსური, ბირთვული ენერგია, ქიმიური და ა.შ.
პირველ რიგში,სილიკონის კარბიდის ბროლის ნავიაქვს შესანიშნავი სითბოს წინააღმდეგობა მაღალი ტემპერატურის გარემოში.მისი განსაკუთრებული კრისტალური სტრუქტურის გამო,სილიკონის კარბიდის ბროლის ნავიშეუძლია შეინარჩუნოს თავისი ფიზიკური და ქიმიური თვისებები ექსტრემალურ ტემპერატურულ პირობებში.მას შეუძლია გაუძლოს 1500 გრადუს ცელსიუსამდე ტემპერატურას დეფორმაციისა და რღვევის გარეშე, რაც ფართოდ გამოიყენება მაღალი ტემპერატურის დნობის, მაღალი ტემპერატურის რეაქციაში და სხვა პროცესებში.
მეორეც,სილიკონის კარბიდის ბროლის ნავიაქვს შესანიშნავი კოროზიის წინააღმდეგობა მაღალი ტემპერატურის გარემოში.ზოგიერთ ექსტრემალურ ქიმიურ გარემოში, ბევრ ლითონს და სხვა მასალებს კოროზიის გავლენა ექნება, მაგრამ სილიციუმის კარბიდის ბროლის ნავს შეუძლია შეინარჩუნოს სტაბილურობა.ის არ არის კოროზიირებული მჟავა, ტუტე და სხვა კოროზიული ნივთიერებებით, რაც ფართოდ გამოიყენება ქიმიურ, ელექტრონულ და სხვა ინდუსტრიებში.
გარდა ამისა, თერმული კონდუქტომეტრულისილიკონის კარბიდის ბროლის ნავიასევე მისი ერთ-ერთი უპირატესობაა.თავისი უნიკალური კრისტალური სტრუქტურის გამო, სილიციუმის კარბიდის ბროლის ნავს აქვს მაღალი თბოგამტარობა და შეუძლია სითბოს სწრაფად გატარება და ტემპერატურის ერთგვაროვანი განაწილების შენარჩუნება.ეს ხდის მას ფართოდ გამოყენებას სითბოს დამუშავებაში, ნახევარგამტარების წარმოებაში და სხვა სფეროებში.
Მოკლედ,სილიკონის კარბიდის ბროლის ნავიშესანიშნავი სითბოს წინააღმდეგობის, კოროზიის წინააღმდეგობის და თერმული კონდუქტომეტრით, ხდება იდეალური მასალა მაღალი ტემპერატურის გარემოში.მას აქვს აპლიკაციების ფართო სპექტრი, შეუძლია დააკმაყოფილოს სხვადასხვა მაღალი ტემპერატურის პროცესების მოთხოვნილებები და აქვს დიდი პოტენციალი მომავალი განვითარებისთვის.
გამოქვეყნების დრო: დეკ-26-2023