სილიციუმის კარბიდი არის ახალი ტიპის კერამიკა მაღალი ღირებულებით და შესანიშნავი მასალის თვისებებით.ისეთი მახასიათებლების გამო, როგორიცაა მაღალი სიმტკიცე და სიმტკიცე, მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობა, დიდი თბოგამტარობა და ქიმიური კოროზიის წინააღმდეგობა, სილიკონის კარბიდს შეუძლია თითქმის გაუძლოს ყველა ქიმიურ საშუალებას.ამიტომ, SiC ფართოდ გამოიყენება ნავთობის მოპოვებაში, ქიმიაში, მანქანებსა და საჰაერო სივრცეში, ბირთვულ ენერგიასა და სამხედროებსაც კი აქვთ განსაკუთრებული მოთხოვნები SIC-ზე.ზოგიერთი ჩვეულებრივი აპლიკაცია, რომელიც ჩვენ შეგვიძლია შემოგთავაზოთ, არის დალუქვის რგოლები ტუმბოს, სარქვლისა და დამცავი ჯავშანტექნიკისთვის და ა.შ.
ჩვენ შეგვიძლია დავაპროექტოთ და ვაწარმოოთ თქვენი კონკრეტული ზომების მიხედვით კარგი ხარისხით და მიწოდების გონივრული დროით.
Aუპირატესობები:
მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა
შესანიშნავი კოროზიის წინააღმდეგობა
კარგი აბრაზიული წინააღმდეგობა
სითბოს გამტარობის მაღალი კოეფიციენტი
თვითშეზეთვა, დაბალი სიმკვრივე
მაღალი სიხისტე
მორგებული დიზაინი.
აპლიკაციები:
აცვიათ მდგრადი ველი: ბუჩქი, ფირფიტა, ქვიშის საქშენი, ციკლონის საფარი, სახეხი ლულა და ა.შ.
-მაღალი ტემპერატურის ველი: siC ფილა, ჩამქრალი ღუმელის მილი, გასხივოსნებული მილი, ჭურჭელი, გამათბობელი ელემენტი, როლიკერი, სხივი, სითბოს გადამცვლელი, ცივი ჰაერის მილი, დამწვრობის საქშენი, თერმოელექტრო დამცავი მილი, SiC ნავი, ღუმელის მანქანის სტრუქტურა, სეტერი და ა.შ.
- სამხედრო ტყვიაგაუმტარი ველი
-სილიკონის კარბიდის ნახევარგამტარი: SiC ვაფლის ნავი, sic ჩაკი, sic პანელი, sic კასეტა, sic დიფუზიის მილი, ვაფლის ჩანგალი, შეწოვის ფირფიტა, გზამკვლევი და ა.შ.
- სილიკონის კარბიდის ბეჭდის ველი: ყველა სახის დალუქვის რგოლი, საკისარი, ბუჩქი და ა.შ.
-ფოტოvoltaic ველი: Cantilever Paddle, Grinding Barrel, Silicon Carbide Roller და ა.შ.
- ლითიუმის ბატარეის ველი
Ტექნიკური პარამეტრები:
მასალის მონაცემთა ცხრილი
| 材料მასალა | R-SiC |
| 使用温度სამუშაო ტემპერატურა (°C) | 1600°C (氧化气氛ჟანგვის გარემო) 1700°C (还原气氛გარემოს შემცირება) |
| SiC含量SiC შემცველობა (%) | > 99 |
| 自由სი含量უფასო Si კონტენტი (%) | < 0.1 |
| 体积密度სიმკვრივე (გ/სმ3) | 2.60-2.70 |
| 气孔率აშკარა ფორიანობა (%) | < 16 |
| 抗压强度გამანადგურებელი ძალა (MPa) | > 600 |
| 常温抗弯强度ცივი მოღუნვის სიძლიერე (MPa) | 80-90 (20°C) |
| 高温抗弯强度ცხელი მოღუნვის ძალა (MPa) | 90-100 (1400°C) |
| 热膨胀系数 თერმული გაფართოების კოეფიციენტი @1500°C (10-6/°C) | 4.70 |
| 导热系数თბოგამტარობა @1200°C (W/მ•K) | 23 |
| 杨氏模量ელასტიური მოდული (GPa) | 240 |
| 抗热震性თერმული შოკის წინააღმდეგობა | 很好უაღრესად კარგი |
-
სილიკონის კარბიდი SiC დაფარული ეპიტაქსიალური რეაქტორი Ba...
-
Half Parts Drum Products ეპიტაქსიალური ნაწილი
-
SIC დაფარული გრაფიტის გამათბობელი MOCVD K465i, epi...
-
გრაფიტის საიზოლაციო თექის, ნახშირბადის მყარი თექის...
-
დააკონფიგურიროთ ცირკონიის კერამიკული მკლავები ნახევრად წამისთვის...
-
ტანტალის კარბიდის (TaC) დაფარული ბეჭედი