FZ სილიკონის ვაფლები

Მოკლე აღწერა:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. არის წამყვანი მიმწოდებელი, რომელიც სპეციალიზირებულია ვაფლისა და მოწინავე ნახევარგამტარული სახარჯო მასალებით.ჩვენ მზად ვართ მივაწოდოთ მაღალი ხარისხის, საიმედო და ინოვაციური პროდუქტები ნახევარგამტარული წარმოების, ფოტოელექტრული მრეწველობისა და სხვა დაკავშირებული სფეროებისთვის.

ჩვენი პროდუქციის ხაზი მოიცავს SiC/TaC დაფარული გრაფიტის პროდუქტებს და კერამიკულ პროდუქტებს, რომლებიც მოიცავს სხვადასხვა მასალებს, როგორიცაა სილიციუმის კარბიდი, სილიციუმის ნიტრიდი და ალუმინის ოქსიდი და ა.შ.

ამჟამად, ჩვენ ვართ ერთადერთი მწარმოებელი, რომელიც გთავაზობთ სისუფთავის 99,9999% SiC საფარს და 99,9% რეკრისტალიზებულ სილიციუმის კარბიდს.SiC საფარის მაქსიმალური სიგრძე ჩვენ შეგვიძლია გავაკეთოთ 2640 მმ.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

Float Zone ვაფლი იზრდება მცურავი ზონის დნობის მეთოდით (Float Zone დნობის მეთოდი), ასევე ცნობილი, როგორც ზონის დნობის ვაფლი, FZ ვაფლი, არის მაღალი სისუფთავის სილიკონის ვაფლი, შეუძლია შეცვალოს სილიკონის ვაფლის CZ ერთკრისტალური სწორხაზოვანი პროცესი.CZ მეთოდით წარმოებულ ვაფლებთან შედარებით, ზონირებულ ვაფლებს ბევრი უპირატესობა აქვთ, როგორიცაა ჭურჭლის არარსებობა, დაბალი წარმოების დატვირთვა და დნობის წერტილის შეზღუდვა, რაც მათ იდეალურს ხდის ისეთი აპლიკაციებისთვის, როგორიცაა მზის მოდულები, RF მოწყობილობები და ზუსტი დენის მოწყობილობები.ჟანგბადის და ნახშირბადის მინარევების კონცენტრაცია FZ ვაფლებში დაბალია და აზოტს სპეციალურად ემატება მისი მექანიკური სიძლიერის გასაუმჯობესებლად.

ელემენტი	არგუმენტი	ნიმუშის გამოძიება
რაოდენობა:		100 ცალი
ზრდის მეთოდი:	მცურავი ზონა	FZ
დიამეტრი:	50/75/100/150/200/300 მმ	100 მმ
ტიპი/დოპანტი:	P-ტიპი / N-ტიპი / შინაგანი	N-ტიპი
ორიენტაცია:	<1-0-0>/<1-1-0>/<1-1-1>或其它	<100>
წინააღმდეგობა:	100~30000 ომ-სმ	3000 ომ-სმ
სისქე:	275 მმ ~ 775 მმ	500 მმ
დასრულება:	SSP/DSP	DSP
ბინები:	ნაჭერი/ორი ნახევრად სტანდარტული ბინა	ჭრილი
BOW/WAP:	<10 მკმ	<40 მმ
TTV:	<5 მკმ	<20 მმ
შეფასება:	Prime / ტესტი / Dummy	პრემიერი