სილიციუმის ნიტრიდთან დაკავშირებული სილიციუმის კარბიდი
Si3N4 შეკრული SiC კერამიკული ცეცხლგამძლე მასალა, შერეულია მაღალი სუფთა SIC წვრილი ფხვნილით და სილიკონის ფხვნილით, ჩამოსხმის კურსის შემდეგ, რეაქცია აგლომერირებულია 1400~1500°C-ზე.აგლომერაციის პროცესის დროს, ღუმელში მაღალი სუფთა აზოტის შევსება, შემდეგ სილიციუმი რეაგირებს აზოტთან და წარმოქმნის Si3N4, ასე რომ, Si3N4 შეკრული SiC მასალა შედგება სილიციუმის ნიტრიდისგან (23%) და სილიციუმის კარბიდისგან (75%), როგორც ძირითადი ნედლეული. შერეულია ორგანულ მასალასთან და ფორმდება ნარევით, ექსტრუზიით ან ჩამოსხმით, შემდეგ მზადდება გაშრობის და აზოტიზაციის შემდეგ.
მახასიათებლები და უპირატესობები:
1.Hმაღალი ტემპერატურის ტოლერანტობა
2.მაღალი თბოგამტარობა და დარტყმის წინააღმდეგობა
3.მაღალი მექანიკური სიმტკიცე და აბრაზიას წინააღმდეგობა
4. შესანიშნავი ენერგოეფექტურობა და კოროზიის წინააღმდეგობა
ჩვენ გთავაზობთ მაღალი ხარისხის და სიზუსტით დამუშავებულ NSiC კერამიკულ კომპონენტებს, რომლებიც ამუშავებენ
1.სლიპის ჩამოსხმა
2.ექსტრადიცია
3.Uni Axial Pressing
4.იზოსტატიკური წნეხი
მასალის მონაცემთა ცხრილი
| >ქიმიური შემადგენლობა | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| უფასო Si | 0% | |
| სიმკვრივე (გ/სმ3) | 2.70～2.80 | |
| აშკარა ფორიანობა (%) | 12～15 | |
| მოსახვევის ძალა 20 ℃ (MPa) | 180～190 | |
| მოსახვევის ძალა 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
| მოსახვევის ძალა 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
| კომპრესიული ძალა 20 ℃ (MPa) | 580 | |
| თბოგამტარობა 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
| თერმული გაფართოების კოეფიციენტი 1200 ℃ (x 10-6/C) | 4.70 | |
| თერმული შოკის წინააღმდეგობა | შესანიშნავი | |
| მაქს.ტემპერატურა (℃) | 1600 წ | |
WeiTai Energy Technology Co., Ltd. არის მოწინავე ნახევარგამტარული კერამიკის წამყვანი მიმწოდებელი და ერთადერთი მწარმოებელი ჩინეთში, რომელსაც შეუძლია ერთდროულად უზრუნველყოს მაღალი სისუფთავის სილიციუმის კარბიდის კერამიკა (განსაკუთრებით Recrystallized SiC) და CVD SiC საფარი.გარდა ამისა, ჩვენი კომპანია ასევე ერთგულია კერამიკული ველების მიმართ, როგორიცაა ალუმინა, ალუმინის ნიტრიდი, ცირკონია და სილიციუმის ნიტრიდი და ა.შ.
ჩვენი ძირითადი პროდუქტები, მათ შორისაა: სილიციუმის კარბიდის ამოსაჭრელი დისკი, სილიციუმის კარბიდის ნავის ბუქსირი, სილიციუმის კარბიდის ვაფლის ნავი (ფოტოელექტრული და ნახევარგამტარი), სილიციუმის კარბიდის ღუმელის მილი, სილიციუმის კარბიდის კონსოლი, სილიციუმის კარბიდის ჩამკეტები, სილიციუმის კარბიდის სხივი და ასევე, სილიციუმის კარბიდის სხივი და VD, ასევე, საფარი.პროდუქტები ძირითადად გამოიყენება ნახევარგამტარულ და ფოტოელექტრო მრეწველობაში, როგორიცაა მოწყობილობები კრისტალების ზრდისთვის, ეპიტაქსია, გრავირება, შეფუთვა, საფარი და დიფუზიური ღუმელები და ა.შ.
ჩვენს კომპანიას აქვს სრული საწარმოო აღჭურვილობა, როგორიცაა ჩამოსხმა, აგლომერაცია, გადამამუშავებელი, საფარის აღჭურვილობა და ა.შ., რომელსაც შეუძლია შეავსოს პროდუქტის წარმოების ყველა საჭირო რგოლი და ჰქონდეს პროდუქტის ხარისხის უფრო მაღალი კონტროლი;ოპტიმალური წარმოების გეგმა შეიძლება შეირჩეს პროდუქტის საჭიროებების მიხედვით, რაც გამოიწვევს დაბალ ღირებულებას და უზრუნველყოფს მომხმარებელს უფრო კონკურენტუნარიანი პროდუქციით;ჩვენ შეგვიძლია მოქნილად და ეფექტურად დავგეგმოთ წარმოება შეკვეთის მიწოდების მოთხოვნების საფუძველზე და ონლაინ შეკვეთების მართვის სისტემებთან ერთად, რაც მომხმარებელს მივაწოდოთ უფრო სწრაფი და გარანტირებული მიწოდების დრო.
