აღწერა
ჩვენი კომპანია გთავაზობთ SiC საფარის პროცესის მომსახურებას CVD მეთოდით გრაფიტის, კერამიკის და სხვა მასალების ზედაპირზე, ისე, რომ ნახშირბადის და სილიციუმის შემცველი სპეციალური აირები რეაგირებენ მაღალ ტემპერატურაზე მაღალი სისუფთავის SiC მოლეკულების, დაფარული მასალების ზედაპირზე დეპონირებული მოლეკულების მისაღებად. SIC დამცავი ფენის ფორმირება.
Ძირითადი მახასიათებლები
1. მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა:
ჟანგვის წინააღმდეგობა ჯერ კიდევ ძალიან კარგია, როდესაც ტემპერატურა 1600 C-მდეა.
2. მაღალი სისუფთავე: დამზადებულია ქიმიური ორთქლის დეპონირებით მაღალი ტემპერატურის ქლორირების პირობებში.
3. ეროზიის წინააღმდეგობა: მაღალი სიხისტე, კომპაქტური ზედაპირი, წვრილი ნაწილაკები.
4. კოროზიის წინააღმდეგობა: მჟავა, ტუტე, მარილი და ორგანული რეაგენტები.
CVD-SIC საფარის ძირითადი სპეციფიკაციები
| SiC-CVD თვისებები | ||
| კრისტალური სტრუქტურა | FCC β ფაზა | |
| სიმჭიდროვე | გ/სმ ³ | 3.21 |
| სიხისტე | ვიკერსის სიმტკიცე | 2500 |
| მარცვლეულის ზომა | მმ | 2 ~ 10 |
| ქიმიური სისუფთავე | % | 99.99995 |
| სითბოს სიმძლავრე | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| სუბლიმაციის ტემპერატურა | ℃ | 2700 |
| Felexural ძალა | MPa (RT 4 პუნქტი) | 415 |
| იანგის მოდული | Gpa (4pt მოსახვევი, 1300℃) | 430 |
| თერმული გაფართოება (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| თბოგამტარობა | (W/mK) | 300 |
დეტალური სურათები
კომპანიის პროფილი
WeiTai Energy Technology Co., Ltd. არის მოწინავე ნახევარგამტარული კერამიკის წამყვანი მიმწოდებელი და ერთადერთი მწარმოებელი ჩინეთში, რომელსაც შეუძლია ერთდროულად უზრუნველყოს მაღალი სისუფთავის სილიციუმის კარბიდის კერამიკა (განსაკუთრებით Recrystallized SiC) და CVD SiC საფარი.გარდა ამისა, ჩვენი კომპანია ასევე ერთგულია კერამიკული ველების მიმართ, როგორიცაა ალუმინა, ალუმინის ნიტრიდი, ცირკონია და სილიციუმის ნიტრიდი და ა.შ.
ჩვენი ძირითადი პროდუქტები, მათ შორისაა: სილიციუმის კარბიდის ამოსაჭრელი დისკი, სილიციუმის კარბიდის ნავის ბუქსირი, სილიციუმის კარბიდის ვაფლის ნავი (ფოტოელექტრული და ნახევარგამტარი), სილიციუმის კარბიდის ღუმელის მილი, სილიციუმის კარბიდის კონსოლი, სილიციუმის კარბიდის ჩამკეტები, სილიციუმის კარბიდის სხივი და ასევე, სილიციუმის კარბიდის სხივი და VD, ასევე, საფარი.პროდუქტები ძირითადად გამოიყენება ნახევარგამტარულ და ფოტოელექტრო მრეწველობაში, როგორიცაა მოწყობილობები კრისტალების ზრდისთვის, ეპიტაქსია, გრავირება, შეფუთვა, საფარი და დიფუზიური ღუმელები და ა.შ.
FAQ
Q: ხართ სავაჭრო კომპანია ან მწარმოებელი?
პასუხი: ჩვენ ვართ 10 წელზე მეტი ხნის ქარხანა ISO9001 სერტიფიცირებული.
Q: რამდენი ხანია თქვენი მიწოდების დრო?
პასუხი: ზოგადად, ეს არის 3-5 დღე, თუ საქონელი მარაგშია, ან 10-15 დღე, თუ საქონელი არ არის მარაგში, ეს არის თქვენი რაოდენობის მიხედვით.
Q: როგორ მივიღო ნიმუში თქვენი ხარისხის შესამოწმებლად?
პასუხი: ფასის დადასტურების შემდეგ, შეგიძლიათ მოითხოვოთ ნიმუშები ჩვენი პროდუქტის ხარისხის შესამოწმებლად.თუ თქვენ გჭირდებათ მხოლოდ ცარიელი ნიმუში დიზაინისა და ხარისხის შესამოწმებლად, ჩვენ მოგაწვდით ნიმუშს უფასოდ, სანამ შეძლებთ ექსპრეს ტვირთს.
Q: როგორია თქვენი გადახდის პირობები?
პასუხი: ჩვენ ვიღებთ გადახდას Western Union, Paypal, Alibaba, T/T, L/C და ა.შ. ნაყარი შეკვეთისთვის, ვაკეთებთ 30% დეპოზიტს, ბალანსს გაგზავნამდე.
თუ თქვენ გაქვთ სხვა შეკითხვა, გთხოვთ, მოგერიდებათ დაგვიკავშირდეთ ქვემოთ:
-
ნახევარგამტარული MOCVD სუბსტრატის გამაცხელებელი, MOCVD ჰეა...
-
SiC დაფარული ნახევარგამტარული ეპიტაქსიალური რეაქტორი ...
-
მაქსიმალურად გაზარდეთ მოსავლიანობა და შესრულება ნახევრად კერასით...
-
ტანტალის კარბიდით დაფარული ბეჭედი
-
Semicera's Siliconized Graphite Mechanica...
-
ნახევარგამტარული სილიციუმის კარბიდის ვაფლის ნავი შეიძლება იყოს...