პროდუქტის აღწერა
ჩვენი კომპანია გთავაზობთSiC საფარიდამუშავება CVD მეთოდით გრაფიტის, კერამიკის და სხვა მასალების ზედაპირზე, ისე, რომ ნახშირბადის და სილიციუმის შემცველი სპეციალური აირები რეაგირებენ მაღალ ტემპერატურაზე მაღალი სისუფთავის SiC მოლეკულების მისაღებად, დაფარული მასალების ზედაპირზე დეპონირებული მოლეკულების წარმოქმნით.SIC დამცავი ფენა.
Ძირითადი მახასიათებლები:
1. მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა:
ჟანგვის წინააღმდეგობა ჯერ კიდევ ძალიან კარგია, როდესაც ტემპერატურა 1600 C-მდეა.
2. მაღალი სისუფთავე: დამზადებულია ქიმიური ორთქლის დეპონირებით მაღალი ტემპერატურის ქლორირების პირობებში.
3. ეროზიის წინააღმდეგობა: მაღალი სიხისტე, კომპაქტური ზედაპირი, წვრილი ნაწილაკები.
4. კოროზიის წინააღმდეგობა: მჟავა, ტუტე, მარილი და ორგანული რეაგენტები.
CVD-SIC საფარის ძირითადი სპეციფიკაციები
| SiC-CVD თვისებები | ||
| კრისტალური სტრუქტურა | FCC β ფაზა | |
| სიმჭიდროვე | გ/სმ ³ | 3.21 |
| სიხისტე | ვიკერსის სიმტკიცე | 2500 |
| მარცვლეულის ზომა | მმ | 2 ~ 10 |
| ქიმიური სისუფთავე | % | 99.99995 |
| სითბოს სიმძლავრე | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| სუბლიმაციის ტემპერატურა | ℃ | 2700 |
| Felexural ძალა | MPa (RT 4 პუნქტი) | 415 |
| იანგის მოდული | Gpa (4pt მოსახვევი, 1300℃) | 430 |
| თერმული გაფართოება (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| თბოგამტარობა | (W/mK) | 300 |
-
მაღალი ტემპერატურის SiC დაფარული ეპიტაქსიალური რეაქტორი B...
-
SiC დაფარული გრაფიტის ლულა ეპიტაქსიალური ზრდისთვის
-
LMJ მიკროჯეტ ლაზერული ტექნოლოგიის აღჭურვილობა
-
SiC დაფარული ნახევარგამტარული ეპიტაქსიალური რეაქტორი ...
-
გრაფიტის გამაცხელებელი ცხელი ზონა/გრაფიტის ცხელი ველი, დაახლოებით...
-
რეაქცია აგლომერირებული სილიკონის კარბიდის ვაფლის ნავი