ნახევარკერაSiC ფირფიტაარის მოწინავე პროდუქტი, რომელიც დამზადებულია მაღალი სისუფთავითსილიციუმის კარბიდი (SiC) მასალა, განკუთვნილია ნახევარგამტარული ინდუსტრიისთვის. უმაღლესი თბოგამტარობითა და შესანიშნავი მექანიკური თვისებებით, ამ SiC ფირფიტას შეუძლია შეინარჩუნოს სტაბილურობა მაღალი ტემპერატურისა და მაღალი წნევის გარემოში, რაც უზრუნველყოფს თქვენი წარმოების პროცესის შეუფერხებლად მიმდინარეობას.
ჩვენი SiC Plate იყენებს RBSiC (რეაქციის აგლომერირებული სილიციუმის კარბიდი) და SSiC (ერთკრისტალური სილიციუმის კარბიდი) მასალებს სხვადასხვა გამოყენების სცენარისთვის, მათ შორისICP Etchingდავაფლის გადამზიდავი. Semicera-ს პროდუქცია მკაცრად შემოწმებულია მაღალი სისუფთავის SiC-ის ხარისხის უზრუნველსაყოფად, რათა დააკმაყოფილოს თქვენი მოთხოვნები მაღალი შესრულებისა და საიმედოობისთვის.
გარდა ამისა, Semicera-სSiC ფირფიტაშექმნილია როგორც ეფექტური ვაფლის დამჭერი დავაფლის მგრძნობელობანახევარგამტარების წარმოების სხვადასხვა პროცესისთვის. იქნება ეს ლაზერებისთვის, ოპტოელექტრონული მოწყობილობებისთვის თუ დენის ელექტრონიკისთვის, Semicera-ს SiC Plate-ს შეუძლია უზრუნველყოს შესანიშნავი მხარდაჭერა და გააუმჯობესოს წარმოების ეფექტურობა.
აირჩიეთ Semicera, თქვენ მიიღებთ არა მხოლოდ მაღალი ხარისხის SiC Plate, არამედ ინდუსტრიის წამყვან ტექნოლოგიასა და მომსახურებას. ჩვენ მზად ვართ მივაწოდოთ მომხმარებელს საუკეთესო გადაწყვეტილებები, რათა დავეხმაროთ თქვენს ტექნოლოგიურ ინოვაციას და ბაზარზე კონკურენტუნარიანობას.
-
გათბობის ელემენტები MOCVD სუბსტრატისთვის
-
მეორე ნახევრის ნაწილები ქვედა ბაფლებისთვის ეპიტაქსიაში...
-
მორგებული სილიკონის კარბიდის ნახევარგამტარული ვაფლის ნავი...
-
ნახევარგამტარული მეორე ნახევარი ნაწილები ეპიტაქსიალისთვის
-
მაღალი ტემპერატურის SiC დაფარული ეპიტაქსიალური რეაქტორი B...
-
სილიკონის კარბიდის კერამიკული საფარი