SiC დაფარული პროცესი გრაფიტის ბაზაზე SiC დაფარული გრაფიტის მატარებლებისთვის

ჩვენ ვინარჩუნებთ ძალიან მჭიდრო ტოლერანტობას გამოყენებისასSiC საფარი, მაღალი სიზუსტის დამუშავების გამოყენებით მგრძნობელობის ერთიანი პროფილის უზრუნველსაყოფად.ჩვენ ასევე ვაწარმოებთ მასალებს იდეალური ელექტრული წინააღმდეგობის თვისებებით ინდუქციურად გაცხელებულ სისტემებში გამოსაყენებლად.ყველა მზა კომპონენტს მოყვება სისუფთავისა და განზომილების შესაბამისობის სერტიფიკატი.

ჩვენი კომპანია გთავაზობთSiC საფარიდამუშავება CVD მეთოდით გრაფიტის, კერამიკის და სხვა მასალების ზედაპირზე, ისე, რომ ნახშირბადის და სილიციუმის შემცველი სპეციალური აირები რეაგირებენ მაღალ ტემპერატურაზე მაღალი სისუფთავის SiC მოლეკულების მისაღებად, დაფარული მასალების ზედაპირზე დეპონირებული მოლეკულები, რომლებიც წარმოქმნიან SIC დამცავ ფენას.ჩამოყალიბებული SIC მყარად არის მიბმული გრაფიტის ფუძესთან, რაც აძლევს გრაფიტის ფუძეს განსაკუთრებულ თვისებებს, რითაც ხდება გრაფიტის ზედაპირი კომპაქტური, ფოროზული, მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობა, კოროზიის წინააღმდეგობა და დაჟანგვის წინააღმდეგობა.

CVD პროცესი იძლევა უკიდურესად მაღალ სიწმინდეს და თეორიულ სიმკვრივესSiC საფარიფორიანობის გარეშე.უფრო მეტიც, რადგან სილიციუმის კარბიდი ძალიან მყარია, ის შეიძლება გაპრიალდეს სარკისებურ ზედაპირზე.CVD სილიციუმის კარბიდის (SiC) საფარიმას აქვს რამდენიმე უპირატესობა, მათ შორის ულტრა მაღალი სისუფთავის ზედაპირი და უკიდურესად აცვიათ გამძლეობა.იმის გამო, რომ დაფარულ პროდუქტებს აქვთ შესანიშნავი შესრულება მაღალი ვაკუუმის და მაღალი ტემპერატურის პირობებში, ისინი იდეალურია ნახევარგამტარების ინდუსტრიაში და სხვა ულტრა სუფთა გარემოში გამოსაყენებლად.ჩვენ ასევე გთავაზობთ პიროლიზურ გრაფიტის (PG) პროდუქტებს.