SiC Cantilever Beam-ის გამოყენება
SiC Cantilever paddleგამოიყენება ფოტოელექტრული ინდუსტრიის დიფუზიური საფარის ღუმელში მონოკრისტალური და პოლიკრისტალური სილიკონის ვაფლის დასაფარავად.მისი მახასიათებელი საშუალებას აძლევს მას გაუძლოს მაღალ ტემპერატურას და კოროზიას, რაც აძლევს მას ხანგრძლივ სიცოცხლეს.
TheSiC Cantilever paddleაწვდის SiC ნავებს/კვარცის ნავებს, რომლებიც ატარებენ სილიკონის ვაფლებს მაღალი ტემპერატურის დიფუზიური საფარის ღუმელის მილში.
სიგრძე ჩვენიSiC Cantilever paddleმერყეობს 1500-დან 3500 მმ-მდე.SiC Cantilever paddle-ისგანზომილება შეიძლება მორგებული იყოს მომხმარებლის სპეციფიკაციის მიხედვით.
Semicera Semiconductor Technology Co., Ltd. არის სილიციუმის კარბიდის კერამიკული პროდუქტების პროფესიონალური კვლევა, განვითარება, წარმოება და გაყიდვა.2016 წელს დაარსების დღიდან Semicera Energy დაეუფლა იზოსტატიკური დაწნეხვის ჩამოსხმის პროცესს, ათასწნევით ჩამოსხმის პროცესის ჩაყრის პროცესს და ვაკუუმ ექსტრუზიის ჩამოსხმის პროცესს.ჩვენი კომპანია იყენებს 6 სილიციუმის კარბიდის კერამიკული აგლომერაციის წარმოების ხაზს, აქვს 8 CNC, 6 ზუსტი სახეხი მანქანა, ასევე შეუძლია მოგაწოდოთ სილიციუმის კარბიდის კერამიკული აგლომერირებული პროდუქტები, მაგრამ ასევე შეუძლია უზრუნველყოს სილიციუმის კარბიდის კერამიკა, ალუმინის კერამიკა, ალუმინის ნიტრიდის კერამიკა, ცირკონიის კერამიკის დამუშავების სერვისები .
