როგორც ერთ-ერთი ძირითადი კომპონენტიMOCVD აღჭურვილობაგრაფიტის ბაზა არის სუბსტრატის გადამზიდავი და გამაცხელებელი სხეული, რომელიც პირდაპირ განსაზღვრავს ფირის მასალის ერთგვაროვნებას და სისუფთავეს, ამიტომ მისი ხარისხი პირდაპირ გავლენას ახდენს ეპიტაქსიალური ფურცლის მომზადებაზე და ამავდროულად, რაოდენობის მატებასთან ერთად. გამოყენება და სამუშაო პირობების შეცვლა, ძალიან ადვილია ტარება, მიეკუთვნება სახარჯო მასალას.
მიუხედავად იმისა, რომ გრაფიტს აქვს შესანიშნავი თბოგამტარობა და სტაბილურობა, მას აქვს კარგი უპირატესობა, როგორც ძირითადი კომპონენტიMOCVD აღჭურვილობა, მაგრამ წარმოების პროცესში გრაფიტი კოროზიის დროს ფხვნილს კოროზიული აირების და მეტალის ორგანული ნივთიერებების ნარჩენების გამო და გრაფიტის ბაზის მომსახურების ვადა მნიშვნელოვნად შემცირდება.ამავდროულად, ჩამოვარდნილი გრაფიტის ფხვნილი გამოიწვევს ჩიპის დაბინძურებას.
საფარის ტექნოლოგიის გაჩენამ შეიძლება უზრუნველყოს ზედაპირის ფხვნილის ფიქსაცია, თბოგამტარობის გაძლიერება და სითბოს განაწილების გათანაბრება, რაც ამ პრობლემის გადაჭრის მთავარ ტექნოლოგიად იქცა.გრაფიტის ბაზაშიMOCVD აღჭურვილობაგამოყენების გარემო, გრაფიტის ბაზის ზედაპირის საფარი უნდა აკმაყოფილებდეს შემდეგ მახასიათებლებს:
(1) გრაფიტის ბაზა შეიძლება მთლიანად შეფუთული იყოს და სიმკვრივე კარგია, წინააღმდეგ შემთხვევაში გრაფიტის ფუძე ადვილად კოროზირდება კოროზიულ აირში.
(2) გრაფიტის ფუძესთან კომბინირებული სიძლიერე მაღალია, რათა უზრუნველყოს, რომ საფარი ადვილი არ არის ჩამოვარდნილი რამდენიმე მაღალი ტემპერატურისა და დაბალი ტემპერატურის ციკლის შემდეგ.
(3) მას აქვს კარგი ქიმიური სტაბილურობა მაღალი ტემპერატურისა და კოროზიულ ატმოსფეროში საფარის უკმარისობის თავიდან ასაცილებლად.
SiC-ს აქვს კოროზიის წინააღმდეგობის, მაღალი თბოგამტარობის, თერმული შოკის წინააღმდეგობის და მაღალი ქიმიური სტაბილურობის უპირატესობები და შეუძლია კარგად იმუშაოს GaN ეპიტაქსიურ ატმოსფეროში.გარდა ამისა, SiC-ის თერმული გაფართოების კოეფიციენტი ძალიან ცოტა განსხვავდება გრაფიტისგან, ამიტომ SiC არის სასურველი მასალა გრაფიტის ბაზის ზედაპირის საფარისთვის.
ამჟამად, საერთო SiC ძირითადად არის 3C, 4H და 6H ტიპის და სხვადასხვა კრისტალების ტიპების SiC გამოყენება განსხვავებულია.მაგალითად, 4H-SiC-ს შეუძლია მაღალი სიმძლავრის მოწყობილობების წარმოება;6H-SiC არის ყველაზე სტაბილური და შეუძლია ფოტოელექტრული მოწყობილობების წარმოება;GaN-ის მსგავსი სტრუქტურის გამო, 3C-SiC შეიძლება გამოყენებულ იქნას GaN ეპიტაქსიალური ფენის დასამზადებლად და SiC-GaN RF მოწყობილობების დასამზადებლად.3C-SiC ასევე ცნობილია როგორცβ-SiC და მნიშვნელოვანი გამოყენებაβ-SiC არის როგორც ფილმი და საფარი მასალა, ასე რომβ-SiC ამჟამად საფარის მთავარი მასალაა.
გამოქვეყნების დრო: ნოე-06-2023