ნახევარგამტარული სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიალური დისკების შესწავლა: შესრულების უპირატესობები და გამოყენების პერსპექტივები

ელექტრონული ტექნოლოგიების დღევანდელ სფეროში, ნახევარგამტარული მასალები გადამწყვეტ როლს თამაშობს.მათ შორის, სილიციუმის კარბიდი (SiC), როგორც ფართო ზოლიანი ნახევარგამტარული მასალა, თავისი შესანიშნავი შესრულების უპირატესობებით, როგორიცაა მაღალი ავარიის ელექტრული ველი, მაღალი გაჯერების სიჩქარე, მაღალი თბოგამტარობა და ა.შ., თანდათან ხდება მკვლევართა და ინჟინრების ყურადღების ცენტრში.სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიალური დისკი, როგორც მისი მნიშვნელოვანი ნაწილი, აჩვენა გამოყენების დიდი პოტენციალი.

一、ეპიტაქსიალური დისკის შესრულება: სრული უპირატესობები
1. ულტრა მაღალი დაშლის ელექტრული ველი: ტრადიციულ სილიკონის მასალებთან შედარებით, სილიციუმის კარბიდის დაშლის ელექტრული ველი 10-ჯერ მეტია.ეს ნიშნავს, რომ იმავე ძაბვის პირობებში, ელექტრონულ მოწყობილობებს, რომლებიც იყენებენ სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიალურ დისკებს, შეუძლიათ გაუძლონ მაღალ დენებს, რითაც შექმნიან მაღალი ძაბვის, მაღალი სიხშირის, მაღალი სიმძლავრის ელექტრონულ მოწყობილობებს.
2. მაღალი სიჩქარის გაჯერების სიჩქარე: სილიციუმის კარბიდის გაჯერების სიჩქარე 2-ჯერ აღემატება სილიციუმს.მაღალ ტემპერატურაზე და მაღალ სიჩქარეზე მუშაობისას, სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიალური დისკი უკეთესად მუშაობს, რაც მნიშვნელოვნად აუმჯობესებს ელექტრონული მოწყობილობების სტაბილურობას და საიმედოობას.
3. მაღალი ეფექტურობის თბოგამტარობა: სილიციუმის კარბიდის თბოგამტარობა 3-ჯერ აღემატება სილიციუმს.ეს ფუნქცია ელექტრონულ მოწყობილობებს საშუალებას აძლევს უკეთ გაანადგურონ სითბო უწყვეტი მაღალი სიმძლავრის მუშაობის დროს, რითაც თავიდან აიცილონ გადახურება და გააუმჯობესონ მოწყობილობის უსაფრთხოება.
4. შესანიშნავი ქიმიური სტაბილურობა: ექსტრემალურ გარემოში, როგორიცაა მაღალი ტემპერატურა, მაღალი წნევა და ძლიერი გამოსხივება, სილიციუმის კარბიდის მოქმედება კვლავ სტაბილურია, როგორც ადრე.ეს ფუნქცია სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიალურ დისკს საშუალებას აძლევს შეინარჩუნოს შესანიშნავი შესრულება რთული გარემოს პირობებში.
წარმოების პროცესი: ფრთხილად მოჩუქურთმებული
SIC ეპიტაქსიალური დისკის წარმოების ძირითადი პროცესები მოიცავს ფიზიკურ ორთქლის დეპონირებას (PVD), ქიმიურ ორთქლის დეპონირებას (CVD) და ეპიტაქსიურ ზრდას.თითოეულ ამ პროცესს აქვს თავისი მახასიათებლები და მოითხოვს სხვადასხვა პარამეტრების ზუსტ კონტროლს საუკეთესო შედეგის მისაღწევად.
1. PVD პროცესი: აორთქლების ან დაფხვრის და სხვა მეთოდებით, SiC სამიზნე დეპონირებულია სუბსტრატზე, რათა შეიქმნას ფილმი.ამ მეთოდით მომზადებულ ფილმს აქვს მაღალი სისუფთავე და კარგი კრისტალურობა, მაგრამ წარმოების სიჩქარე შედარებით ნელია.
2. CVD პროცესი: სილიციუმის კარბიდის წყაროს გაზის გატეხვით მაღალ ტემპერატურაზე, იგი დეპონირდება სუბსტრატზე თხელი ფილმის წარმოქმნით.ამ მეთოდით მომზადებული ფილმის სისქე და ერთგვაროვნება კონტროლირებადია, მაგრამ სისუფთავე და კრისტალურობა ცუდია.
3. ეპიტაქსიური ზრდა: SiC ეპიტაქსიური ფენის ზრდა მონოკრისტალურ სილიკონზე ან სხვა მონოკრისტალურ მასალებზე ქიმიური ორთქლის დეპონირების მეთოდით.ამ მეთოდით მომზადებულ ეპიტაქსიალურ ფენას აქვს კარგი შესატყვისი და შესანიშნავი შესრულება სუბსტრატის მასალასთან, მაგრამ ღირებულება შედარებით მაღალია.
三、აპლიკაციის პერსპექტივა: განათეთ მომავალი
ენერგეტიკული ელექტრონიკის უწყვეტი განვითარებისა და მაღალი ხარისხის და მაღალი საიმედოობის ელექტრონულ მოწყობილობებზე მზარდი მოთხოვნის გამო, სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიალურ დისკს აქვს ფართო გამოყენების პერსპექტივა ნახევარგამტარული მოწყობილობების წარმოებაში.იგი ფართოდ გამოიყენება მაღალი სიხშირის მაღალი სიმძლავრის ნახევარგამტარული მოწყობილობების წარმოებაში, როგორიცაა დენის ელექტრონული გადამრთველები, ინვერტორები, გამსწორებლები და ა.შ. გარდა ამისა, იგი ასევე ფართოდ გამოიყენება მზის უჯრედებში, LED და სხვა სფეროებში.
თავისი უნიკალური შესრულების უპირატესობებით და წარმოების პროცესის უწყვეტი გაუმჯობესებით, სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიალური დისკი თანდათან ავლენს თავის დიდ პოტენციალს ნახევარგამტარულ სფეროში.ჩვენ გვაქვს საფუძველი ვიფიქროთ, რომ მეცნიერებისა და ტექნოლოგიების მომავალში ის უფრო მნიშვნელოვან როლს ითამაშებს.