სილიკონის კარბიდის საფარის შესავალი
ჩვენი ქიმიური ორთქლის დეპონირების (CVD) სილიკონის კარბიდის (SiC) საფარი არის უაღრესად გამძლე და აცვიათ მდგრადი ფენა, იდეალურია კოროზიის და თერმული წინააღმდეგობის მაღალი მოთხოვნების მქონე გარემოში.სილიკონის კარბიდის საფარიგამოიყენება თხელ ფენებად სხვადასხვა სუბსტრატებზე CVD პროცესის მეშვეობით, რაც უზრუნველყოფს უმაღლესი შესრულების მახასიათებლებს.
ძირითადი მახასიათებლები
● -განსაკუთრებული სიწმინდე: გამოირჩევა ულტრა სუფთა შემადგენლობით99.99995%, ჩვენიSiC საფარიამცირებს დაბინძურების რისკებს მგრძნობიარე ნახევარგამტარული ოპერაციების დროს.
● -უმაღლესი წინააღმდეგობა: ავლენს შესანიშნავ მდგრადობას როგორც ცვეთასა და კოროზიის მიმართ, რაც შესანიშნავად აქცევს ქიმიურ და პლაზმურ პარამეტრებს.
● -მაღალი თბოგამტარობა: უზრუნველყოფს საიმედო მუშაობას ექსტრემალურ ტემპერატურაზე მისი გამორჩეული თერმული თვისებების გამო.
● -განზომილებიანი სტაბილურობა: ინარჩუნებს სტრუქტურულ მთლიანობას ტემპერატურის ფართო დიაპაზონში, დაბალი თერმული გაფართოების კოეფიციენტის წყალობით.
● -გაძლიერებული სიხისტე: სიხისტის შეფასებით40 გპაჩვენი SiC საფარი უძლებს მნიშვნელოვან ზემოქმედებას და აბრაზიას.
● -გლუვი ზედაპირის დასრულება: უზრუნველყოფს სარკისებრ დასრულებას, ამცირებს ნაწილაკების წარმოქმნას და ზრდის ოპერაციულ ეფექტურობას.
აპლიკაციები
ნახევარკერა SiC საიზოლაციოგამოიყენება ნახევარგამტარების წარმოების სხვადასხვა ეტაპზე, მათ შორის:
● -LED ჩიპის დამზადება
● -პოლისილიკონის წარმოება
● -ნახევარგამტარული კრისტალური ზრდა
● -სილიკონი და SiC ეპიტაქსია
● -თერმული ოქსიდაცია და დიფუზია (TO&D)
ჩვენ ვაწვდით SiC-დაფარულ კომპონენტებს, რომლებიც დამზადებულია მაღალი სიმტკიცის იზოსტატიკური გრაფიტისგან, ნახშირბადის ბოჭკოებით გამაგრებული ნახშირბადისგან და 4N უკკრისტალიზებული სილიციუმის კარბიდისგან, მორგებული თხევადი კალაპოტის რეაქტორებისთვის.STC-TCS გადამყვანები, CZ ერთეულის რეფლექტორები, SiC ვაფლის ნავი, SiCwafer პადლი, SiC ვაფლის მილი და ვაფლის მატარებლები, რომლებიც გამოიყენება PECVD, სილიკონის ეპიტაქსიაში, MOCVD პროცესებში.
სარგებელი
● -გახანგრძლივებული სიცოცხლის ხანგრძლივობა: მნიშვნელოვნად ამცირებს აღჭურვილობის შეფერხების და ტექნიკური ხარჯების ხარჯებს, რაც ზრდის მთლიანი წარმოების ეფექტურობას.
● -გაუმჯობესებული ხარისხი: აღწევს მაღალი სისუფთავის ზედაპირებს, რომლებიც აუცილებელია ნახევარგამტარული დამუშავებისთვის, რითაც ზრდის პროდუქტის ხარისხს.
● -ეფექტურობის გაზრდა: აუმჯობესებს თერმული და CVD პროცესებს, რაც იწვევს ციკლის ხანმოკლე პერიოდებს და უფრო მაღალ მოსავლიანობას.
ტექნიკური მახასიათებლები
● -სტრუქტურა: FCC β ფაზის პოლიკრისტალური, ძირითადად (111) ორიენტირებული
● -სიმკვრივე: 3.21 გ/სმ³
● -სიხისტე: 2500 Vickes სიმტკიცე (500გრ დატვირთვა)
● -მოტეხილობის სიმტკიცე: 3.0 MPa·m1/2
● -თერმული გაფართოების კოეფიციენტი (100–600 °C): 4.3 x 10-6k-1
● -ელასტიური მოდული (1300℃):435 GPa
● -ტიპიური ფირის სისქე:100 მკმ
● -ზედაპირის უხეშობა:2-10 მმ
სისუფთავის მონაცემები (გაზომილი გლუვი გამონადენის მასის სპექტროსკოპიით)
| ელემენტი | ppm | ელემენტი | ppm |
| Li | < 0.001 | Cu | < 0.01 |
| Be | < 0.001 | Zn | <0.05 |
| ალ | < 0.04 | Ga | < 0.01 |
| P | < 0.01 | Ge | <0.05 |
| S | < 0.04 | As | < 0.005 |
| K | <0.05 | In | < 0.01 |
| Ca | <0.05 | Sn | < 0.01 |
| Ti | < 0.005 | Sb | < 0.01 |
| V | < 0.001 | W | <0.05 |
| Cr | <0.05 | Te | < 0.01 |
| Mn | < 0.005 | Pb | < 0.01 |
| Fe | <0.05 | Bi | <0.05 |
| Ni | < 0.01 |
|
