კონფიგურირებადი, მაღალი სისუფთავის სილიციუმის კარბიდის ღუმელის მილები

სილიკონის კარბიდის ღუმელის მილიძირითადად გამოიყენება: 4-6 დიუმიანი სილიკონის ვაფლისთვის LTO= სილიციუმი, SIPOS= ოქსი-პოლისილიციუმი, SI3N4= სილიციუმის ნიტრიდი, PSG=ფოსფოსილიციუმის მინა, POLY=პოლისილიციუმის ფირის ზრდა.ეს არის ნედლეულის გაზი (ან თხევადი წყაროს გაზიფიკაცია), რომელიც გააქტიურებულია თერმული ენერგიით, რათა წარმოქმნას მყარი ფილმი სუბსტრატის ზედაპირზე.დაბალი წნევის ქიმიური ორთქლის დეპონირება ხორციელდება დაბალ წნევაზე, დაბალი წნევის გამო, გაზის მოლეკულების საშუალო თავისუფალი გზა დიდია, ასე რომ მოზრდილი ფილმის ერთგვაროვნება კარგია, ხოლო სუბსტრატი შეიძლება განთავსდეს ვერტიკალურად და დატვირთვა დიდია, განსაკუთრებით შესაფერისია ფართომასშტაბიანი ინტეგრირებული სქემებისთვის, დისკრეტული მოწყობილობებისთვის, დენის ელექტრონიკისთვის, ოპტოელექტრონული მოწყობილობებისთვის და ოპტიკური ბოჭკოებისთვის და სამრეწველო წარმოების სპეციალური აღჭურვილობის სხვა ინდუსტრიებისთვის.