ტანტალის კარბიდი (TaC) დაფარული ფირფიტა

მოკლე აღწერა:

ტანტალის კარბიდის საფარი არის ზედაპირის დაფარვის მოწინავე ტექნოლოგია, რომელიც იყენებს ტანტალის კარბიდის მასალას სუბსტრატის ზედაპირზე მყარი, აცვიათ მდგრადი და კოროზიისადმი მდგრადი დამცავი ფენის შესაქმნელად. ამ საფარს აქვს შესანიშნავი თვისებები, რაც მნიშვნელოვნად ზრდის მასალის სიმტკიცეს, მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობას და ქიმიურ წინააღმდეგობას, ხოლო ამცირებს ხახუნს და ცვეთას. ტანტალის კარბიდის საფარები ფართოდ გამოიყენება სხვადასხვა სფეროში, მათ შორის სამრეწველო წარმოებაში, აერონავტიკაში, საავტომობილო ინჟინერიაში და სამედიცინო აღჭურვილობაში, მატერიალური სიცოცხლის გახანგრძლივების, წარმოების ეფექტურობის გასაუმჯობესებლად და შენარჩუნების ხარჯების შესამცირებლად. მიუხედავად იმისა, იცავს ლითონის ზედაპირებს კოროზიისგან თუ აძლიერებს მექანიკური ნაწილების აცვიათ წინააღმდეგობას და ჟანგვის წინააღმდეგობას, ტანტალის კარბიდის საფარი საიმედო გადაწყვეტას იძლევა სხვადასხვა აპლიკაციისთვის.


პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

Semicera უზრუნველყოფს სპეციალიზებულ ტანტალის კარბიდის (TaC) საფარებს სხვადასხვა კომპონენტებისა და მატარებლებისთვის.Semicera წამყვანი დაფარვის პროცესი საშუალებას აძლევს ტანტალის კარბიდის (TaC) საფარებს მიაღწიონ მაღალ სისუფთავეს, მაღალი ტემპერატურის სტაბილურობას და მაღალ ქიმიურ ტოლერანტობას, აუმჯობესებს SIC/GAN კრისტალების და EPI ფენების პროდუქტის ხარისხს.გრაფიტით დაფარული TaC მგრძნობელობა) და რეაქტორის ძირითადი კომპონენტების სიცოცხლის გახანგრძლივება. ტანტალის კარბიდის TaC საფარის გამოყენება მიზნად ისახავს ზღვარზე პრობლემის გადაჭრას და კრისტალების ზრდის ხარისხის გაუმჯობესებას, ხოლო Semicera Semicera-მა გარღვევა მოაგვარა ტანტალის კარბიდის საფარის ტექნოლოგია (CVD), მიაღწია საერთაშორისო მოწინავე დონეს.

 

წლების განვითარების შემდეგ, Semicera-მ დაიპყრო ტექნოლოგიაCVD TaCR&D დეპარტამენტის ერთობლივი ძალისხმევით. დეფექტები ადვილად წარმოიქმნება SiC ვაფლის ზრდის პროცესში, მაგრამ გამოყენების შემდეგTaC, განსხვავება მნიშვნელოვანია. ქვემოთ მოცემულია ვაფლის შედარება TaC–ით და მის გარეშე, ასევე Simicera–ის ნაწილები ერთკრისტალური ზრდისთვის

微信图片_20240227150045

TaC-ით და მის გარეშე

微信图片_20240227150053

TaC გამოყენების შემდეგ (მარჯვნივ)

გარდა ამისა, Semicera-ს TaC საფარის პროდუქტების მომსახურების ვადა უფრო გრძელი და მდგრადია მაღალი ტემპერატურის მიმართ, ვიდრე SiC საფარის. ლაბორატორიული გაზომვის მონაცემების დიდი ხნის შემდეგ, ჩვენს TaC-ს შეუძლია დიდხანს იმუშაოს მაქსიმუმ 2300 გრადუს ცელსიუსზე. ქვემოთ მოცემულია ჩვენი რამდენიმე ნიმუში:

微信截图_20240227145010

(ა) PVT მეთოდით SiC ერთკრისტალური ღვედის მზარდი მოწყობილობის სქემატური დიაგრამა (ბ) ზედა TaC დაფარული თესლის სამაგრი (SiC თესლის ჩათვლით) (გ) TAC-დაფარული გრაფიტის სახელმძღვანელო რგოლი

ZDFVzCFV
მთავარი თვისება
Semicera სამუშაო ადგილი
Semicera სამუშაო ადგილი 2
აღჭურვილობის მანქანა
CNN დამუშავება, ქიმიური წმენდა, CVD საფარი
ჩვენი სერვისი

  • წინა:
  • შემდეგი: