Semicera უზრუნველყოფს სპეციალიზებულ ტანტალის კარბიდის (TaC) საფარებს სხვადასხვა კომპონენტებისა და მატარებლებისთვის.Semicera წამყვანი დაფარვის პროცესი საშუალებას აძლევს ტანტალის კარბიდის (TaC) საფარებს მიაღწიონ მაღალ სისუფთავეს, მაღალი ტემპერატურის სტაბილურობას და მაღალ ქიმიურ ტოლერანტობას, აუმჯობესებს SIC/GAN კრისტალების და EPI ფენების პროდუქტის ხარისხს.გრაფიტით დაფარული TaC მგრძნობელობა) და რეაქტორის ძირითადი კომპონენტების სიცოცხლის გახანგრძლივება. ტანტალის კარბიდის TaC საფარის გამოყენება მიზნად ისახავს ზღვარზე პრობლემის გადაჭრას და კრისტალების ზრდის ხარისხის გაუმჯობესებას, ხოლო Semicera Semicera-მა გარღვევა მოაგვარა ტანტალის კარბიდის საფარის ტექნოლოგია (CVD), მიაღწია საერთაშორისო მოწინავე დონეს.
წლების განვითარების შემდეგ, Semicera-მ დაიპყრო ტექნოლოგიაCVD TaCR&D დეპარტამენტის ერთობლივი ძალისხმევით. დეფექტები ადვილად წარმოიქმნება SiC ვაფლის ზრდის პროცესში, მაგრამ გამოყენების შემდეგTaC, განსხვავება მნიშვნელოვანია. ქვემოთ მოცემულია ვაფლის შედარება TaC–ით და მის გარეშე, ასევე Simicera–ის ნაწილები ერთკრისტალური ზრდისთვის
TaC-ით და მის გარეშე
TaC გამოყენების შემდეგ (მარჯვნივ)
გარდა ამისა, Semicera-ს TaC საფარის პროდუქტების მომსახურების ვადა უფრო გრძელი და მდგრადია მაღალი ტემპერატურის მიმართ, ვიდრე SiC საფარის. ლაბორატორიული გაზომვის მონაცემების დიდი ხნის შემდეგ, ჩვენს TaC-ს შეუძლია დიდხანს იმუშაოს მაქსიმუმ 2300 გრადუს ცელსიუსზე. ქვემოთ მოცემულია ჩვენი რამდენიმე ნიმუში:
(ა) PVT მეთოდით SiC ერთკრისტალური ღვედის მზარდი მოწყობილობის სქემატური დიაგრამა (ბ) ზედა TaC დაფარული თესლის სამაგრი (SiC თესლის ჩათვლით) (გ) TAC-დაფარული გრაფიტის სახელმძღვანელო რგოლი
