-
დეტალური ახსნა მშრალი ოქროვის და სველი ოქროვის უპირატესობებისა და უარყოფითი მხარეების შესახებ
ნახევარგამტარების წარმოებაში არსებობს ტექნიკა, რომელსაც ეწოდება "აკრავი" სუბსტრატის ან სუბსტრატზე წარმოქმნილი თხელი ფილმის დამუშავების დროს. გრავირების ტექნოლოგიის განვითარებამ როლი ითამაშა Intel-ის დამფუძნებლის გორდონ მურის მიერ 1965 წელს გაკეთებული პროგნოზის განხორციელებაში, რომ „...დაწვრილებით -
სილიკონის კარბიდის გამათბობლების მაღალი თერმული ეფექტურობისა და ვარსკვლავური სტაბილურობის გამოვლენა
სილიციუმის კარბიდის (SiC) გამათბობლები თერმული მენეჯმენტის წინა პლანზეა ნახევარგამტარულ ინდუსტრიაში. ეს სტატია იკვლევს SiC გამათბობლების განსაკუთრებულ თერმულ ეფექტურობას და გასაოცარ სტაბილურობას, ნათელს ჰფენს მათ გადამწყვეტ როლს ნახევარკონტში ოპტიმალური მუშაობისა და საიმედოობის უზრუნველსაყოფად...დაწვრილებით -
სილიკონის კარბიდის ვაფლის ნავების მაღალი სიმტკიცის და მაღალი სიხისტის მახასიათებლების შესწავლა
სილიციუმის კარბიდის (SiC) ვაფლის ნავები გადამწყვეტ როლს თამაშობენ ნახევარგამტარების ინდუსტრიაში, რაც ხელს უწყობს მაღალი ხარისხის ელექტრონული მოწყობილობების წარმოებას. ეს სტატია იკვლევს SiC ვაფლის ნავების ღირსშესანიშნავ მახასიათებლებს, ყურადღებას ამახვილებს მათ განსაკუთრებულ სიმტკიცეზე და სიმტკიცეზე და ხაზს უსვამს მათ ნიშანს...დაწვრილებით -
სილიკონის კარბიდის ვაფლის ნავების შესანიშნავი შესრულება კრისტალურ ზრდაში
კრისტალების ზრდის პროცესები ნახევარგამტარების წარმოების ცენტრშია, სადაც გადამწყვეტი მნიშვნელობა აქვს მაღალი ხარისხის ვაფლის წარმოებას. ამ პროცესების განუყოფელი კომპონენტია სილიციუმის კარბიდი (SiC) ვაფლის ნავი. SiC ვაფლის ნავებმა მოიპოვეს მნიშვნელოვანი აღიარება ინდუსტრიაში მათი გარდა...დაწვრილებით -
გრაფიტის გამათბობლების შესანიშნავი თბოგამტარობა ერთკრისტალური ღუმელის თერმო ველებში
ერთკრისტალური ღუმელის ტექნოლოგიის სფეროში, თერმული მართვის ეფექტურობა და სიზუსტე უმნიშვნელოვანესია. ოპტიმალური ტემპერატურის ერთგვაროვნებისა და სტაბილურობის მიღწევა გადამწყვეტია მაღალი ხარისხის ერთკრისტალების ზრდისთვის. ამ გამოწვევების გადასაჭრელად, გრაფიტის გამათბობლები წარმოიშვა, როგორც შესანიშნავი...დაწვრილებით -
კვარცის კომპონენტების თერმული სტაბილურობა ნახევარგამტარების ინდუსტრიაში
შესავალი ნახევარგამტარების ინდუსტრიაში თერმული სტაბილურობას უდიდესი მნიშვნელობა აქვს კრიტიკული კომპონენტების საიმედო და ეფექტური მუშაობის უზრუნველსაყოფად. კვარცი, სილიციუმის დიოქსიდის (SiO2) კრისტალური ფორმა, მოიპოვა მნიშვნელოვანი აღიარება მისი განსაკუთრებული თერმული სტაბილურობის თვისებებით. ტ...დაწვრილებით -
ტანტალის კარბიდის საფარის კოროზიის წინააღმდეგობა ნახევარგამტარების ინდუსტრიაში
სათაური: ტანტალის კარბიდის საფარის კოროზიის წინააღმდეგობა ნახევარგამტარების ინდუსტრიაში შესავალი ნახევარგამტარების ინდუსტრიაში კოროზია მნიშვნელოვან გამოწვევას უქმნის კრიტიკული კომპონენტების ხანგრძლივობასა და შესრულებას. ტანტალის კარბიდის (TaC) საფარი გამოჩნდა, როგორც პერსპექტიული გამოსავალი ...დაწვრილებით -
როგორ გავზომოთ თხელი ფილმის ფურცლის წინააღმდეგობა?
ნახევარგამტარების წარმოებაში გამოყენებული თხელ ფილებს აქვთ წინააღმდეგობა, ხოლო ფირის წინააღმდეგობა პირდაპირ გავლენას ახდენს მოწყობილობის მუშაობაზე. ჩვენ ჩვეულებრივ არ ვზომავთ ფილმის აბსოლუტურ წინააღმდეგობას, მაგრამ ვიყენებთ ფურცლის წინააღმდეგობას მის დასახასიათებლად. რა არის ფურცლის წინააღმდეგობა და მოცულობის წინააღმდეგობა...დაწვრილებით -
შეუძლია თუ არა CVD სილიციუმის კარბიდის საფარის გამოყენება ეფექტურად გააუმჯობესოს კომპონენტების მუშაობის ვადა?
CVD სილიციუმის კარბიდის საფარი არის ტექნოლოგია, რომელიც აყალიბებს თხელ ფენას კომპონენტების ზედაპირზე, რამაც შეიძლება კომპონენტების უკეთესი აცვიათ წინააღმდეგობა, კოროზიის წინააღმდეგობა, მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობა და სხვა თვისებები. ეს შესანიშნავი თვისებები ხდის CVD სილიციუმის კარბიდის საფარებს ფართოდ...დაწვრილებით -
აქვს თუ არა CVD სილიციუმის კარბიდის საფარებს შესანიშნავი დამამშვიდებელი თვისებები?
დიახ, CVD სილიციუმის კარბიდის საფარებს აქვს შესანიშნავი დამამშვიდებელი თვისებები. დემპინგი გულისხმობს ობიექტის უნარს გაანადგუროს ენერგია და შეამციროს ვიბრაციის ამპლიტუდა, როდესაც ის ექვემდებარება ვიბრაციას ან ზემოქმედებას. ბევრ აპლიკაციაში, ამორტიზაციის თვისებები ძალიან მნიშვნელოვანია...დაწვრილებით -
სილიციუმის კარბიდის ნახევარგამტარი: ეკოლოგიურად სუფთა და ეფექტური მომავალი
ნახევარგამტარული მასალების სფეროში, სილიციუმის კარბიდი (SiC) გამოჩნდა, როგორც პერსპექტიული კანდიდატი ეფექტური და ეკოლოგიურად სუფთა ნახევარგამტარების შემდეგი თაობისთვის. თავისი უნიკალური თვისებებითა და პოტენციალით, სილიციუმის კარბიდის ნახევარგამტარები გზას უხსნიან უფრო მდგრადი...დაწვრილებით -
სილიციუმის კარბიდის ვაფლის ნავების გამოყენების პერსპექტივები ნახევარგამტარულ სფეროში
ნახევარგამტარულ სფეროში, მასალის შერჩევა გადამწყვეტია მოწყობილობის მუშაობისა და პროცესის განვითარებისთვის. ბოლო წლების განმავლობაში, სილიციუმის კარბიდის ვაფლებმა, როგორც წარმოქმნილმა მასალამ, მიიპყრო ფართო ყურადღება და აჩვენა დიდი პოტენციალი ნახევარგამტარულ სფეროში გამოსაყენებლად. სილიკო...დაწვრილებით