სილიციუმის კარბიდის კერამიკის გამოყენება ნახევარგამტარულ სფეროში

ნახევარგამტარები:

ნახევარგამტარული ინდუსტრია მიჰყვება "ერთი თაობის ტექნოლოგიის, ერთი თაობის პროცესის და ერთი თაობის აღჭურვილობის" ინდუსტრიულ კანონს, ხოლო ნახევარგამტარული აღჭურვილობის განახლება და გამეორება დიდწილად დამოკიდებულია ზუსტი ნაწილების ტექნოლოგიურ გარღვევაზე. მათ შორის, ზუსტი კერამიკული ნაწილები არის ნახევარგამტარული ზუსტი ნაწილების ყველაზე წარმომადგენლობითი მასალები, რომლებსაც აქვთ მნიშვნელოვანი აპლიკაციები ნახევარგამტარების წარმოების ძირითად რგოლებში, როგორიცაა ქიმიური ორთქლის დეპონირება, ფიზიკური ორთქლის დეპონირება, იონის იმპლანტაცია და ატრაქცია. როგორიცაა საკისრები, სახელმძღვანელო რელსები, საყრდენები, ელექტროსტატიკური ჩამკეტები, მექანიკური ტარების მკლავები და ა.შ.

2023 წლიდან ნიდერლანდებმა და იაპონიამ ასევე თანმიმდევრულად გამოსცეს ახალი რეგულაციები ან საგარეო ვაჭრობის ბრძანებები კონტროლის შესახებ, დაამატეს საექსპორტო ლიცენზიის რეგულაციები ნახევარგამტარული აღჭურვილობის, მათ შორის ლითოგრაფიული მანქანებისთვის, და თანდათანობით გამოიკვეთა ნახევარგამტარების ანტიგლობალიზაციის ტენდენცია. მიწოდების ჯაჭვის დამოუკიდებელი კონტროლის მნიშვნელობა სულ უფრო თვალსაჩინო ხდება. ნახევარგამტარული აღჭურვილობის ნაწილების ლოკალიზაციის მოთხოვნის წინაშე, ადგილობრივი კომპანიები აქტიურად უწყობენ ხელს სამრეწველო განვითარებას. Zhongci Electronics-მა გააცნობიერა მაღალტექნოლოგიური ზუსტი ნაწილების ლოკალიზაცია, როგორიცაა გამაცხელებელი ფირფიტები და ელექტროსტატიკური ჩამკეტები, გადაჭრა შიდა ნახევარგამტარული აღჭურვილობის ინდუსტრიის „ბუშტის“ პრობლემა; Dezhi New Materials-მა, SiC დაფარული გრაფიტის ბაზების და SiC ოქროვის რგოლების წამყვანმა შიდა მიმწოდებელმა, წარმატებით დაასრულა 100 მილიონი იუანის და ა.შ.
მაღალი გამტარობის სილიციუმის ნიტრიდის კერამიკული სუბსტრატები:

სილიციუმის ნიტრიდის კერამიკული სუბსტრატები ძირითადად გამოიყენება ენერგიის ერთეულებში, ნახევარგამტარ მოწყობილობებში და ინვერტორებში სუფთა ელექტრო მანქანების (EVs) და ჰიბრიდული ელექტრო მანქანების (HEVs) და აქვს უზარმაზარი ბაზრის პოტენციალი და გამოყენების პერსპექტივები.

ამჟამად, მაღალი თბოგამტარობის სილიციუმის ნიტრიდის კერამიკული სუბსტრატის მასალები კომერციული გამოყენებისთვის საჭიროებს თბოგამტარობას ≥85 W/(m·K), ღუნვის სიძლიერეს ≥650MPa და მოტეხილობის სიმტკიცე 5~7MPa·m1/2. კომპანიები, რომლებსაც ნამდვილად აქვთ მაღალი თბოგამტარობის სილიციუმის ნიტრიდის კერამიკული სუბსტრატების მასობრივი წარმოების უნარი, ძირითადად არიან Toshiba Group, Hitachi Metals, Japan Electric Chemical, Japan Maruwa და Japan Fine Ceramics.

სილიციუმის ნიტრიდის კერამიკული სუბსტრატის მასალების შიდა კვლევებმა ასევე მიაღწია გარკვეულ პროგრესს. სილიციუმის ნიტრიდის კერამიკული სუბსტრატის თბოგამტარობა, რომელიც მომზადებულია Sinoma High-Tech Nitride Ceramics Co., Ltd.-ის პეკინის ფილიალის ლენტით ჩამოსხმის პროცესით არის 100 W/(m·K); Beijing Sinoma Artificial Crystal Research Institute Co., Ltd.-მ წარმატებით მოამზადა სილიციუმის ნიტრიდის კერამიკული სუბსტრატი მოსახვევში 700-800 MPa, მსხვრევადობის სიმტკიცით ≥8MPa·m1/2 და თბოგამტარობით ≥80W/(m·K) აგლომერაციის მეთოდისა და პროცესის ოპტიმიზაციის გზით.