SEMICERA იზოსტატიკური PECVD გრაფიტის ნავი არის მაღალი სისუფთავის, მაღალი სიმკვრივის გრაფიტის პროდუქტი, რომელიც შექმნილია ვაფლის მხარდაჭერისთვის PECVD (პლაზმის გაძლიერებული ქიმიური ორთქლის დეპონირების) პროცესში. SEMICERA იყენებს მოწინავე იზოსტატიკური დაჭერის ტექნოლოგიას იმის უზრუნველსაყოფად, რომ გრაფიტის ნავს აქვს შესანიშნავი მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობა, კოროზიის წინააღმდეგობა, განზომილებიანი სტაბილურობა და კარგი თბოგამტარობა, რაც შეუცვლელი სახარჯო მასალაა ნახევარგამტარების წარმოების პროცესში.
SEMICERA იზოსტატიკური PECVD გრაფიტის ნავს აქვს შემდეგი უპირატესობები:
▪ მაღალი სისუფთავე: გრაფიტის მასალა არის მაღალი სისუფთავისა და დაბალი მინარევების შემცველობით ვაფლის ზედაპირის დაბინძურების თავიდან ასაცილებლად.
▪ მაღალი სიმკვრივე: მაღალი სიმკვრივე, მაღალი მექანიკური სიმტკიცე, შეუძლია გაუძლოს მაღალ ტემპერატურას და მაღალ ვაკუუმ გარემოს.
▪ კარგი განზომილებიანი სტაბილურობა: მცირე განზომილებიანი ცვლილება მაღალ ტემპერატურაზე პროცესის სტაბილურობის უზრუნველსაყოფად.
▪ შესანიშნავი თბოგამტარობა: ეფექტურად გადაიტანეთ სითბო ვაფლის გადახურების თავიდან ასაცილებლად.
▪ ძლიერი კოროზიის წინააღმდეგობა: შეუძლია წინააღმდეგობა გაუწიოს სხვადასხვა კოროზიული გაზებისა და პლაზმის ეროზიას.
შესრულების პარამეტრი | ნახევარკერა | SGL R6510 | შესრულების პარამეტრი |
სიმკვრივე (გ/სმ3) | 1.91 | 1.83 | 1.85 |
მოხრის სიმტკიცე (MPa) | 63 | 60 | 49 |
კომპრესიული ძალა (MPa) | 135 | 130 | 103 |
ნაპირის სიმტკიცე (HS) | 70 | 64 | 60 |
თერმული გაფართოების კოეფიციენტი (10-6/K) | 85 | 105 | 130 |
თერმული გაფართოების კოეფიციენტი (10-6/K) | 5.85 | 4.2 | 5.0 |
წინააღმდეგობა (μΩm) | 11-13 | 13 | 10 |
ჩვენი არჩევის უპირატესობები:
▪ მასალის შერჩევა: პროდუქციის ხარისხის უზრუნველსაყოფად გამოიყენება მაღალი სისუფთავის გრაფიტის მასალები.
▪ დამუშავების ტექნოლოგია: იზოსტატიკური წნეხი გამოიყენება პროდუქტის სიმკვრივისა და ერთგვაროვნების უზრუნველსაყოფად.
▪ ზომის მორგება: სხვადასხვა ზომის და ფორმის გრაფიტის ნავები შეიძლება მორგებული იყოს მომხმარებლის მოთხოვნილებების შესაბამისად.
▪ ზედაპირის დამუშავება: გათვალისწინებულია ზედაპირული დამუშავების სხვადასხვა მეთოდი, როგორიცაა საფარი სილიციუმის კარბიდი, ბორის ნიტრიდი და ა.შ., სხვადასხვა პროცესის მოთხოვნების დასაკმაყოფილებლად.