მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობა სილიკონის კარბიდის რობოტული მკლავი

Მოკლე აღწერა:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. არის წამყვანი მიმწოდებელი, რომელიც სპეციალიზირებულია ვაფლისა და მოწინავე ნახევარგამტარული სახარჯო მასალებით.ჩვენ მზად ვართ მივაწოდოთ მაღალი ხარისხის, საიმედო და ინოვაციური პროდუქტები ნახევარგამტარების წარმოებაში,ფოტოელექტრული ინდუსტრიადა სხვა დაკავშირებული სფეროები.

ჩვენი პროდუქციის ხაზი მოიცავს SiC/TaC დაფარული გრაფიტის პროდუქტებს და კერამიკულ პროდუქტებს, რომლებიც მოიცავს სხვადასხვა მასალებს, როგორიცაა სილიციუმის კარბიდი, სილიციუმის ნიტრიდი და ალუმინის ოქსიდი და ა.შ.

როგორც სანდო მიმწოდებელს, ჩვენ გვესმის სახარჯო მასალების მნიშვნელობა წარმოების პროცესში და ჩვენ მზად ვართ მივაწოდოთ პროდუქტები, რომლებიც აკმაყოფილებს უმაღლესი ხარისხის სტანდარტებს ჩვენი მომხმარებლების მოთხოვნილებების დასაკმაყოფილებლად.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

სილიციუმის კარბიდი არის ახალი ტიპის კერამიკა მაღალი ღირებულებით და შესანიშნავი მასალის თვისებებით.ისეთი მახასიათებლების გამო, როგორიცაა მაღალი სიმტკიცე და სიმტკიცე, მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობა, დიდი თბოგამტარობა და ქიმიური კოროზიის წინააღმდეგობა, სილიკონის კარბიდი თითქმის გაუძლებს ყველა ქიმიურ საშუალებას.ამიტომ, SiC ფართოდ გამოიყენება ნავთობის მოპოვებაში, ქიმიურ, მანქანებსა და საჰაერო სივრცეში, ბირთვულ ენერგიასა და სამხედროებსაც კი აქვთ განსაკუთრებული მოთხოვნები SIC-ზე.ზოგიერთი ჩვეულებრივი აპლიკაცია, რომელიც ჩვენ შეგვიძლია შემოგთავაზოთ, არის დალუქვის რგოლები ტუმბოს, სარქვლისა და დამცავი ჯავშანტექნიკისთვის და ა.შ.

ჩვენ შეგვიძლია დავაპროექტოთ და ვაწარმოოთ თქვენი კონკრეტული ზომების მიხედვით კარგი ხარისხით და მიწოდების გონივრული დროით.

მახასიათებლები და უპირატესობები

1.ზუსტი ზომები და თერმული სტაბილურობა

2. მაღალი სპეციფიკური სიხისტე და შესანიშნავი თერმული ერთგვაროვნება, გრძელვადიანი გამოყენება არ არის ადვილი მოსახვევი დეფორმაცია;

3. მას აქვს გლუვი ზედაპირი და კარგი აცვიათ წინააღმდეგობა, რითაც უსაფრთხოდ ამუშავებს ჩიპს ნაწილაკების დაბინძურების გარეშე.

4.სილიციუმის კარბიდის წინაღობა 106-108Ω, არამაგნიტური, ანტი-ESD სპეციფიკაციის მოთხოვნების შესაბამისად;მას შეუძლია თავიდან აიცილოს სტატიკური ელექტროენერგიის დაგროვება ჩიპის ზედაპირზე

5.კარგი თბოგამტარობა, გაფართოების დაბალი კოეფიციენტი.