მაღალი ხარისხის და ეკონომიური ტანტალის კარბიდის (TaC) საფარი

მოკლე აღწერა:

ფოროვანი ტანტალის კარბიდი ძირითადად გამოიყენება გაზის ფაზის კომპონენტების ფილტრაციისთვის, ადგილობრივი ტემპერატურის გრადიენტის რეგულირებისთვის, მასალის დინების მიმართულების მართვისთვის, გაჟონვის კონტროლისთვის და ა. სხვადასხვა დინების გამტარობით.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

Semicera უზრუნველყოფს სპეციალიზებულ ტანტალის კარბიდის (TaC) საფარებს სხვადასხვა კომპონენტებისა და მატარებლებისთვის.Semicera წამყვანი დაფარვის პროცესი საშუალებას აძლევს ტანტალის კარბიდის (TaC) საფარებს მიაღწიონ მაღალ სისუფთავეს, მაღალი ტემპერატურის სტაბილურობას და მაღალ ქიმიურ ტოლერანტობას, აუმჯობესებს SIC/GAN კრისტალების და EPI ფენების პროდუქტის ხარისხს.გრაფიტით დაფარული TaC მგრძნობელობა) და რეაქტორის ძირითადი კომპონენტების სიცოცხლის გახანგრძლივება. ტანტალის კარბიდის TaC საფარის გამოყენება მიზნად ისახავს ზღვარზე პრობლემის გადაჭრას და კრისტალების ზრდის ხარისხის გაუმჯობესებას, ხოლო Semicera-მა გარღვევა მოაგვარა ტანტალის კარბიდის საფარის ტექნოლოგია (CVD), მიაღწია საერთაშორისო მოწინავე დონეს.

წლების განვითარების შემდეგ, Semicera-მ დაიპყრო ტექნოლოგიაCVD TaCR&D დეპარტამენტის ერთობლივი ძალისხმევით. დეფექტები ადვილად წარმოიქმნება SiC ვაფლის ზრდის პროცესში, მაგრამ გამოყენების შემდეგTaC, განსხვავება მნიშვნელოვანია. ქვემოთ მოცემულია ვაფლის შედარება TaC-ით და მის გარეშე, ასევე სემიცერას ნაწილები ერთკრისტალური ზრდისთვის

Tac ნაწილი ზრდის ერთკრისტალური

ტანტალის კარბიდის საწინააღმდეგო საფარი _ იცავს აღჭურვილობას ცვეთისა და კოროზიისგან. გამორჩეული სურათი

გრაფიტი TaC დაფარული რგოლით

TaC-ით და მის გარეშე

TaC გამოყენების შემდეგ (მარჯვნივ)

გარდა ამისა, Semicera-ს TaC საფარის პროდუქტების მომსახურების ვადა უფრო გრძელი და მდგრადია მაღალი ტემპერატურის მიმართ, ვიდრე SiC საფარის. ლაბორატორიული გაზომვის მონაცემების დიდი ხნის შემდეგ, ჩვენს TaC-ს შეუძლია დიდხანს იმუშაოს მაქსიმუმ 2300 გრადუს ცელსიუსზე. ქვემოთ მოცემულია ჩვენი რამდენიმე ნიმუში: