ლურჯი/მწვანე LED ეპიტაქსია semicera-სგან გთავაზობთ უახლესი გადაწყვეტილებებს მაღალი ხარისხის LED წარმოებისთვის. შექმნილია ეპიტაქსიური ზრდის მოწინავე პროცესების მხარდასაჭერად, semicera-ს ლურჯი/მწვანე LED ეპიტაქსიის ტექნოლოგია აძლიერებს ეფექტურობას და სიზუსტეს ლურჯი და მწვანე LED-ების წარმოებაში, რაც მნიშვნელოვანია სხვადასხვა ოპტოელექტრონული აპლიკაციებისთვის. უახლესი Si Epitaxy-ისა და SiC Epitaxy-ის გამოყენებით, ეს ხსნარი უზრუნველყოფს შესანიშნავ ხარისხს და გამძლეობას.
წარმოების პროცესში, MOCVD Susceptor გადამწყვეტ როლს თამაშობს კომპონენტებთან ერთად, როგორიცაა PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier და RTP Carrier, რომლებიც ოპტიმიზაციას უკეთებენ ეპიტაქსიური ზრდის გარემოს. Semicera-ს ლურჯი/მწვანე LED ეპიტაქსია შექმნილია LED ეპიტაქსიალური სუსცეპტორის, ლულის სუსცეპტორისა და მონოკრისტალური სილიკონის სტაბილური მხარდაჭერისთვის, რაც უზრუნველყოფს თანმიმდევრული, მაღალი ხარისხის შედეგების მიღებას.
ეს ეპიტაქსიის პროცესი სასიცოცხლოდ მნიშვნელოვანია ფოტოელექტრული ნაწილების შესაქმნელად და მხარს უჭერს აპლიკაციებს, როგორიცაა GaN on SiC Epitaxy, აუმჯობესებს მთლიანი ნახევარგამტარების ეფექტურობას. მიუხედავად იმისა, ბლინების სუსცეპტორის კონფიგურაციაში თუ გამოიყენება სხვა მოწინავე პარამეტრებში, semicera-ს ლურჯი/მწვანე LED ეპიტაქსიის გადაწყვეტილებები გვთავაზობს საიმედო შესრულებას, რაც მწარმოებლებს ეხმარება დააკმაყოფილონ მაღალი ხარისხის LED კომპონენტების მზარდი მოთხოვნა.
ძირითადი მახასიათებლები:
1. მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა:
ჟანგვის წინააღმდეგობა ჯერ კიდევ ძალიან კარგია, როდესაც ტემპერატურა 1600 C-მდეა.
2. მაღალი სისუფთავე: დამზადებულია ქიმიური ორთქლის დეპონირებით მაღალი ტემპერატურის ქლორირების პირობებში.
3. ეროზიის წინააღმდეგობა: მაღალი სიხისტე, კომპაქტური ზედაპირი, წვრილი ნაწილაკები.
4. კოროზიის წინააღმდეგობა: მჟავა, ტუტე, მარილი და ორგანული რეაგენტები.
ძირითადი სპეციფიკაციებიCVD-SIC საფარი
| SiC-CVD თვისებები | ||
| კრისტალური სტრუქტურა | FCC β ფაზა | |
| სიმჭიდროვე | გ/სმ ³ | 3.21 |
| სიხისტე | ვიკერსის სიმტკიცე | 2500 |
| მარცვლეულის ზომა | მმ | 2 ~ 10 |
| ქიმიური სისუფთავე | % | 99.99995 |
| სითბოს სიმძლავრე | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| სუბლიმაციის ტემპერატურა | ℃ | 2700 |
| Felexural ძალა | MPa (RT 4 პუნქტი) | 415 |
| იანგის მოდული | Gpa (4pt მოსახვევი, 1300℃) | 430 |
| თერმული გაფართოება (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| თბოგამტარობა | (W/mK) | 300 |
