6'' ვაფლის გადამზიდი Aixtron G5-ისთვის Semicera შექმნილია იმისთვის, რომ დააკმაყოფილოს ეპიტაქსიური ზრდის პროცესების მოთხოვნადი მოთხოვნები Aixtron G5 სისტემებში. დამზადებულია მაღალი ხარისხის გრაფიტით, ესვაფლის გადამზიდავიუზრუნველყოფს სტაბილურობას და ერთგვაროვნებას დროსCVDდაMOCVD პროცესები, რაც საშუალებას იძლევა ზუსტი დეპონირება ეპი რეაქტორში.
ასილიციუმის კარბიდის კერამიკასაფარი, 6'' ვაფლის გადამზიდი Aixtron G5-ისთვის გთავაზობთ გაძლიერებულ გამძლეობას და თერმული წინააღმდეგობას, რაც მას იდეალურს ხდის მაღალი ტემპერატურის გამოყენებისთვის ეპიტაქსიალურ ზრდაში. ეს პროდუქტი შექმნილია ეფექტურობის მხარდასაჭერადვაფლიდამუშავება და მაქსიმალურ შესრულება ნახევარგამტარების წარმოებაში.
Semicera-ში ჩვენ ფოკუსირებული ვართ ნახევარგამტარული ინდუსტრიისთვის უმაღლესი დონის გადაწყვეტილებების მიწოდებაზე. ჩვენი ვაფლის მატარებლები შექმნილია საიმედოობისთვის, რაც უზრუნველყოფს გამართულ მუშაობას Aixtron G5 სისტემებში და სხვაCVD ეპიტაქსიარეაქტორები. მიუხედავად იმისა, თქვენ მუშაობთ სილიციუმის კარბიდთან ან სხვა მასალებთან, ეს ვაფლის მატარებელი უზრუნველყოფს ნახევარგამტარების მოწინავე წარმოებისთვის საჭირო სიზუსტეს და თანმიმდევრულობას.
ძირითადი მახასიათებლები:
• ოპტიმიზებულია Aixtron G5 სისტემებისთვის და სხვა CVD MOCVD რეაქტორებისთვის.
• მაღალი ხარისხის გრაფიტის დამჭერი სილიციუმის კარბიდის კერამიკული საფარით გაძლიერებული გამძლეობისთვის.
• იდეალურია ეპიტაქსიური ზრდის პროცესებისთვის, რომლებიც საჭიროებენ სიზუსტეს და თერმულ სტაბილურობას.
• ვაფლის საიმედო დამუშავება რთულ ნახევარგამტარულ გარემოში.
Semicera ეძღვნება უახლესი გადაწყვეტილებების მიწოდებას, რაც უზრუნველყოფს, რომ ყოველი 6'' ვაფლის მატარებელი აკმაყოფილებს თქვენი ეპიტაქსიის საჭიროებების უმაღლეს სტანდარტებს.
-
წარმოების მიწოდება სხვადასხვა სპეციფიკაციები hi...
-
სილიკონის კარბიდით დაფარული ეპიტაქსიალური რეაქტორის ლულა
-
უზრუნველყოს მოწინავე LMJ microjet ტექნოლოგიის ლაზერი ...
-
სილიკონის კარბიდი (SiC) ვაფლის მგრძნობელობა MOCVD-სთვის
-
ნახევარგამტარული სილიციუმის კარბიდის კრისტალური ნავი...
-
SiC საფარი სილიკონის ეპიტაქსიალური დეპონირება ბარში...